STP15N60M2-EP, MOSFETs N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2990 шт., срок 6-9 недель
1 960 ֏
от 10 шт. —
1 560 ֏
от 100 шт. —
1 160 ֏
от 250 шт. —
1 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 960 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
MDmesh™ II Power MOSFETsSTMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 378 mOhms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | STP15N60M2-EP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Base Product Number | STP15 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 378mOhm @ 5.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MDmeshв„ў M2-EP -> |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.34Ом |
| Power Dissipation | 110Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.34Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
