STP10P6F6, Транзистор P-МОП, полевой, -60В, -7,2А, 30Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 шт., срок 8 недель
1 340 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
980 ֏
от 200 шт. —
800 ֏
от 500 шт. —
700 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 13 400 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -60В, -7,2А, 30Вт, TO220-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 48V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 30W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
Series | DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VI |
Supplier Device Package | TO-220 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 160@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | STripFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220AB |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 3.7 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 6.4 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.4@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 340@48V |
Typical Rise Time (ns) | 5.3 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 64 |
Вес, г | 1.94 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1216 КБ
Datasheet STP10P6F6
pdf, 1198 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг