STB100N10F7, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 150Вт 0,008Ом D Pak
![Фото 1/2 STB100N10F7, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 150Вт 0,008Ом D Pak](https://static.chipdip.ru/lib/569/DOC044569584.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367934.jpg)
980 шт., срок 8 недель
3 350 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
2 420 ֏
от 100 шт. —
2 000 ֏
от 200 шт. —
1 800 ֏
5 шт.
на сумму 16 750 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 150Вт 0,008Ом DІPak
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 15 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-3 |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 61 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
Rise Time: | 40 ns |
Series: | STB100N10F7 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 633 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг