STD100N10F7, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 120Вт 0,008Ом TO252
![Фото 1/4 STD100N10F7, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 120Вт 0,008Ом TO252](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC043792465.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC034151470.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
2820 шт., срок 8 недель
3 250 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
2 230 ֏
от 200 шт. —
1 760 ֏
от 500 шт. —
1 580 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 32 500 ֏
Альтернативные предложения5
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 120Вт 0,008Ом TO252 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 80A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4369pF @ 50V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 120W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 40A, 10V |
Series | DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VII |
Supplier Device Package | DPAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 120 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
Width | 6.2mm |
Вес, г | 0.42 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг