STS1DNC45, MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
![Фото 1/2 STS1DNC45, MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171135.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/431/DOC013431789.jpg)
877 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
710 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 33 шт. —
620 ֏
от 66 шт. —
560 ֏
от 132 шт. —
530 ֏
3 шт.
на сумму 2 130 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
Технические параметры
Корпус | so-8 | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Dual | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Fall Time: | 4 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 400 mA | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -65 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 2 Channel | |
Package / Case: | SOIC-8 | |
Pd - Power Dissipation: | 2 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Product: | MOSFET Small Signal | |
Qg - Gate Charge: | 10 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 Ohms | |
Rise Time: | 4 ns | |
Series: | STS1DNC45 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | SuperMESH | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 2 N-Channel | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.7 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 450 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Dual Dual Drain | |
Factory Pack Quantity | 2500 | |
Fall Time | 4 ns | |
Height | 1.65 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 400 mA | |
Length | 5 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -65 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 2 Channel | |
Package / Case | SOIC-8 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 2 W | |
Product | MOSFET Small Signal | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 7 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.1 Ohms | |
Rise Time | 4 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel MDmesh | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 2 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-On Delay Time | 6.7 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 450 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Width | 4 mm | |
Вес, г | 0.29 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 299 КБ
Datasheet STS1DNC45
pdf, 300 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг