STD150N3LLH6
![STD150N3LLH6](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 8-10 недель
2 720 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 720 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0024Ом |
Power Dissipation | 110Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | STripFET VI DeepGATE |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 80А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0024Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 943 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг