STGW60V60DF, IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
855 шт., срок 6-9 недель
6 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 300 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор БТИЗ, 600В, 60А, 375Вт, TO247 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 30 |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
| Gate Charge | 334nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 375W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 74ns |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 750ВµJ(on), 550ВµJ(off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 60ns/208ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 60A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Mounting | THT |
| Pulsed collector current | 240A |
| Type of transistor | IGBT |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
