STD10NM60ND, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A
![Фото 1/2 STD10NM60ND, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172973.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614878.jpg)
3107 шт. с центрального склада, срок 3 недели
530 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 102 шт. —
396 ֏
от 203 шт. —
374 ֏
от 406 шт. —
366 ֏
4 шт.
на сумму 2 120 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A
Технические параметры
Корпус | DPAK/TO-252AA | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Id - Continuous Drain Current: | 8 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-252-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 70 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 19 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms | |
Series: | STD10NM60ND | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 577pF @ 50V | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 | |
Packaging | Digi-ReelВ® | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V | |
Series | FDmeshв(ў II | |
Standard Package | 1 | |
Supplier Device Package | DPAK | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±25V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA | |
Вес, г | 1.134 |
Техническая документация
Datasheet STD10NM60ND
pdf, 1222 КБ
Datasheet STD10NM60ND
pdf, 1206 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг