STP6N80K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A
![Фото 1/2 STP6N80K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172664.jpg)
63 шт. с центрального склада, срок 3 недели
620 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 7 шт. —
580 ֏
от 13 шт. —
530 ֏
от 26 шт. —
510 ֏
4 шт.
на сумму 2 480 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 1.3Ом | |
Power Dissipation | 85Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | MDmesh K5 | |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В | |
Непрерывный Ток Стока | 4.5А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В | |
Рассеиваемая Мощность | 85Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.3Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Вес, г | 2.73 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1285 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг