STP7N60M2, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 0,86Ом 60Вт
![Фото 1/3 STP7N60M2, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 0,86Ом 60Вт](https://static.chipdip.ru/lib/170/DOC012170934.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/682/DOC040682090.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/682/DOC040682094.jpg)
26 шт. с центрального склада, срок 3 недели
339 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 12 шт. —
317 ֏
от 23 шт. —
286 ֏
6 шт.
на сумму 2 034 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 0,86Ом 60Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Base Product Number | STP7N60 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 271pF @ 100V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.5A, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | MDmeshв„ў II Plus -> | |
Supplier Device Package | TO-220 | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±25V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 5 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 950 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 60 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.8 nC @ 10 V | |
Width | 4.6mm | |
Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг