STP43N60DM2, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

192 шт. с центрального склада, срок 3 недели

3 220 ֏

от 3 шт. — 2 860 ֏

от 6 шт. — 2 770 ֏

от 11 шт. — 2 720 ֏

1 шт. на сумму 3 220 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8009387102

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34A

Корпус	TO-220AB
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	6 ns
Id - Continuous Drain Current:	34 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	250 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	56 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	93 mOhms
Rise Time:	27 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	85 ns
Typical Turn-On Delay Time:	29 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	2.8