STGP10NB60S, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 шт. с центрального склада, срок 3 недели
418 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
392 ֏
от 19 шт. —
357 ֏
5 шт.
на сумму 2 090 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Brand | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current | 10 A | |
Continuous Collector Current at 25 C | 20 A | |
Continuous Collector Current Ic Max | 20 A | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA | |
Height | 9.15 mm | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 80 W | |
Product Category | IGBT Transistors | |
RoHS | Details | |
Series | 600-650V IGBTs | |
Technology | Si | |
Width | 4.6 mm | |
Вес, г | 2 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг