STB11NK40ZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 030 ֏
от 2 шт. —
1 590 ֏
от 5 шт. —
1 270 ֏
от 10 шт. —
1 160 ֏
1 шт.
на сумму 2 030 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 5,67А, 110Вт, D2PAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 18 ns |
Forward Transconductance - Min | 5.8 S |
Height | 4.6 mm |
Id - Continuous Drain Current | 9 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-263-3 |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 110 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
Rise Time | 20 ns |
RoHS | Details |
Series | STB11NK40Z |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 9.35 mm |
Id - непрерывный ток утечки: | 9 A |
Pd - рассеивание мощности: | 110 W |
Qg - заряд затвора: | 32 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 550 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 400 V |
Vgs - напряжение затвор-исток: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3 V |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Время нарастания: | 20 ns |
Время спада: | 18 ns |
Высота: | 4.6 mm |
Длина: | 10.4 mm |
Канальный режим: | Enhancement |
Категория продукта: | МОП-транзистор |
Количество каналов: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 5.8 S |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Подкатегория: | MOSFETs |
Полярность транзистора: | N-Channel |
Производитель: | STMicroelectronics |
Размер фабричной упаковки: | 1000 |
Серия: | STB11NK40ZT4 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | MOSFET |
Тип транзистора: | 1 N-Channel |
Тип: | MOSFET |
Типичное время задержки выключения: | 40 ns |
Типичное время задержки при включении: | 20 ns |
Торговая марка: | STMicroelectronics |
Упаковка / блок: | TO-263-3 |
Ширина: | 9.35 mm |
Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Datasheet STB11NK40ZT4
pdf, 728 КБ
Datasheet STB11NK40ZT4, STP11NK40Z, STP11NK40ZFP
pdf, 746 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг