STF13N60M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. с центрального склада, срок 3 недели
1 630 ֏
от 2 шт. —
1 240 ֏
1 шт.
на сумму 1 630 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой STF13N60M2 от STMicroelectronics представляет собой высокоэффективный N-MOSFET компонент, идеально подходящий для широкого спектра применений благодаря своим впечатляющим характеристикам. Оснащенный корпусом TO220FP, он обеспечивает простой монтаж THT. Ток стока достигает 7 ампер, что позволяет устройству легко справляться с нагрузками средней мощности. Напряжение сток-исток в 600 вольт гарантирует отличную производительность в цепях высокого напряжения. Мощность устройства составляет 25 ватт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,38 ома, что свидетельствует о высокой эффективности и экономичности. Приобретая STF13N60M2, вы получаете надежный и долговечный компонент от ведущего производителя электронных компонентов. Код продукта для поиска и заказа: STF13N60M2. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 7 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 25 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.38 |
| Корпус | TO220FP |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 9.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 25 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 17 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh M2 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 41 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 9.5 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF13N60M2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1131 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
