STL60N10F7
![Фото 1/2 STL60N10F7](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC004368602.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523089.jpg)
10 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
2 140 ֏
от 2 шт. —
1 740 ֏
от 10 шт. —
1 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 140 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 46A, 175DEG C, 72W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0145ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 8 ns |
Id - Continuous Drain Current | 12 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | PowerFLAT-5x6-8 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 5 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 25 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 16.5 mOhms |
Rise Time | 16.8 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel STripFET |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15.2 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
Pd - рассеивание мощности | 5 W |
Qg - заряд затвора | 25 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 16.8 ns |
Время спада | 8 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | STripFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | STL60N10F7 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 24 ns |
Типичное время задержки при включении | 15.2 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | PowerFLAT-5x6-8 |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0145Ом |
Power Dissipation | 72Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | STripFET DeepGATE |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 46А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Рассеиваемая Мощность | 72Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0145Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг