N-Channel MOSFET, 13 A, 1000 V, 3-Pin TO-247 STW13NK100Z

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

440 шт., срок 8 недель

19 900 ֏

1 шт. на сумму 19 900 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8009773710

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1000В, 8,2А, 350Вт, TO247 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	8.2
Напряжение сток-исток, В	1000
Мощность, Вт	350
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.056
Корпус	TO247

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	13 A
Maximum Drain Source Resistance	700 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	1000 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	350 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Series	MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	190 nC @ 10 V
Width	5.15mm
Case	TO247
Drain current	8.2A
Drain-source voltage	1kV
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate-source voltage	±30V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting	THT
On-state resistance	0.56Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	350W
Technology	SuperMesh™
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	5