N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP STP10NK80ZFP
![Фото 1/10 N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP STP10NK80ZFP](https://static.chipdip.ru/lib/623/DOC033623182.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/623/DOC033623185.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786617.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/652/DOC001652279.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/267/DOC013267839.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/342/DOC037342039.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC004458123.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC006173607.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/409/DOC009409559.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/870/DOC034870133.jpg)
4 шт., срок 8 недель
1 720 ֏
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 3 440 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор полевой STP10NK80ZFP от STMicroelectronics - надежный компонент для проектов, требующих высокого напряжения и тока. Модель STP10NK80ZFP, выполненная в корпусе TO220FP, предназначена для монтажа THT. Этот полевой N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 9 А и работать при напряжении сток-исток до 800 В. Эффективность его работы подтверждается мощностью 40 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,9 Ом. Идеален для применения в источниках питания, преобразователях и других устройствах, где требуется высокая напряженность и надежность. Компонент STP10NK80ZFP гарантирует высокое качество и производительность, характерные для продукции STMicroelectronics. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 9 |
Напряжение сток-исток, В | 800 |
Мощность, Вт | 40 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.9 |
Корпус | TO220FP |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
Maximum Drain Source Resistance | 900 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 40 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh, SuperMESH |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
кол-во в упаковке | 50 |
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 17 ns |
Forward Transconductance - Min | 9.6 S |
Height | 9.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 9 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220FP-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 40 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 72 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 900 mOhms |
Rise Time | 20 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 65 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Automotive | No |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 900@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | SuperMESH |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220FP |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 17 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 72 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 72@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2180@25V |
Typical Rise Time (ns) | 20 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 65 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 30 |
Case | TO220FP |
Drain current | 3A |
Drain-source voltage | 800V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
On-state resistance | 0.9Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 40W |
Type of transistor | N-MOSFET |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
Емкость, пФ | 2180 |
Заряд затвора, нКл | 72 |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 800 |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 9 |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 900 |
Мощность | рассеиваемая(max)-40 Вт |
Описание | N-Channel 800 V 9A(Tc)40W(Tc)Through Hole TO-220FP |
Способ монтажа | Through Hole |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | N |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/1000 |
Упаковка | TUBE, 50 шт. |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 439 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 438 КБ
Datasheet STP10NK80ZFP
pdf, 439 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг