N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP80NF06

Фото 1/5 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP80NF06
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт., срок 8 недель
2 730 ֏
Кратность заказа 2 шт.
2 шт. на сумму 5 460 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8009773727
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 300Вт, TO220-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 80 A
Maximum Drain Source Resistance 8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 300 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Priced to Clear Yes
Series STripFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 115 nC @ 10 V
Width 4.6mm
Configuration Single
Continuous Drain Current (Id) 80 A
Drain-Source Voltage (Vds) 60 V
Fall Time 25 ns
Gate-Source Voltage 20 V
ON Resistance (Rds(on)) 6.5 mOhm
Operating Temperature Max. 175 °C
Operating Temperature Min. -65 °C
Packaging Tube
Pins 3
Power Dissipation (Pd) 300 W
Rise Time 85 ns
Transistor Polarity N-Channel
Turn-OFF Delay Time 70 ns
Turn-ON Delay Time 25 ns
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 301 КБ
STP80NF06
pdf, 301 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг