N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 3-Pin IPAK STD3NK80Z-1
![Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 3-Pin IPAK STD3NK80Z-1](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC023313614.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530249.jpg)
60 шт., срок 8 недель
3 070 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 15 350 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 4.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 70 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | IPAK(TO-251) |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh, SuperMESH |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
Width | 2.4mm |
Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Qg - заряд затвора | 19 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 27 ns |
Время спада | 40 ns |
Высота | 6.2 mm |
Длина | 6.6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.1 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | STD3NK80Z-1 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 36 ns |
Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Ширина | 2.4 mm |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг