N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW48NM60N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1802 шт., срок 8 недель
4 890 ֏
1 шт.
на сумму 4 890 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор полевой STW48NM60N от STMicroelectronics представляет собой мощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока до 28 А и напряжением сток-исток 600 В, этот транзистор способен управлять серьезными электрическими нагрузками, обеспечивая при этом высокую эффективность благодаря мощности 330 Вт и низкому сопротивлению в открытом состоянии всего 0,055 Ом. Устройство заключено в надежный корпус TO247, который подходит для широкого спектра применений, от промышленных до потребительских электронных проектов. Используйте STW48NM60N для вашего следующего проекта, нуждающегося в надежном и мощном полевом транзисторе. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 28 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 330 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.055 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 39 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 255 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Width | 5.15mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 44A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4285pF @ 50V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 330W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
