P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 3-Pin DPAK STD26P3LLH6
![Фото 1/3 P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 3-Pin DPAK STD26P3LLH6](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236152.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC039941046.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
10 шт., срок 8 недель
840 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 8 400 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -8,5А, 40Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 40 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
Width | 6.2mm |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STD26P3LLH6
pdf, 705 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг