N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP STF4N80K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 шт., срок 8 недель
1 320 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 6 600 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Новейшие технологии в силовых MOSFET и IGBT STMicroelectronics предлагает новейшие технологии в Power MOSFET и IGBT. ST предлагает широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированных к вашему конкретному применению, ориентированных на SMPS, освещение, управление двигателями и различные промышленные приложения. Портфель ST 'включает высоковольтные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом и полевые транзисторы IGBT с траншейным затвором для жестких и мягких коммутируемых топологий, а также низковольтные траншейные полевые МОП-транзисторы для преобразования мощности и приводы двигателей BLDC. Последние SiC MOSFET на 1200 В компании ST сочетают в себе самый высокий в отрасли рейтинг температуры перехода 200 ° C с очень низкой площадью RDS (включено) (с минимальным отклонением от температуры) и отличными коммутационными характеристиками для более эффективных и компактных конструкций SMPS. Для управления двигателем IGBT серии M предлагают оптимизированный компромисс между VCE (SAT) и E (выкл.), А также надежный рейтинг короткого замыкания. Ознакомьтесь с полным ассортиментом полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любых силовых схем.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh K5, SuperMESH5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 Ohms |
| Rise Time: | 15 ns |
| Series: | STF4N80K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Drain Source On State Resistance | 2.1Ом |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Automotive | No |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2500@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 800 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 60000 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tube |
| Process Technology | SuperMESH |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 10.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 10.5@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 175@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V, 1.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
| Power Dissipation (Pd) | 20W |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1294 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1269 КБ
Datasheet
pdf, 621 КБ
Datasheet STP4N80K5
pdf, 1290 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
