N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL30N10F7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 8 недель
1 020 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 5 100 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerFLAT 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Series | STripFET H7 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Width | 5.4mm |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
