STY105NM50N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 110A
![STY105NM50N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 110A](https://static.chipdip.ru/lib/301/DOC018301201.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
5 700 ֏
от 2 шт. —
5 500 ֏
от 3 шт. —
5 400 ֏
от 6 шт. —
5 300 ֏
1 шт.
на сумму 5 700 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 110A
Технические параметры
Корпус | MAX247 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 600 | |
Id - Continuous Drain Current | 88 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | Max247-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 625 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 22 mOhms | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel MDmesh | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | |
Вес, г | 7.9 |
Техническая документация
Datasheet STY105NM50N
pdf, 902 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг