STY105NM50N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 110A

STY105NM50N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 110A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
5 700 ֏
от 2 шт.5 500 ֏
от 3 шт.5 400 ֏
от 6 шт.5 300 ֏
1 шт. на сумму 5 700 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8009848966
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 110A

Технические параметры

Корпус MAX247
Brand STMicroelectronics
Configuration Single
Factory Pack Quantity 600
Id - Continuous Drain Current 88 A
Manufacturer STMicroelectronics
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case Max247-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 625 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 22 mOhms
RoHS Details
Series N-channel MDmesh
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Vgs - Gate-Source Voltage 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Вес, г 7.9

Техническая документация

Datasheet STY105NM50N
pdf, 902 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 12 августа1 бесплатно
HayPost 15 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг