STF12N50M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. с центрального склада, срок 3 недели
1 850 ֏
от 2 шт. —
1 410 ֏
1 шт.
на сумму 1 850 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 500V, 10A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.325ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Po
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 34.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 85 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 325 mOhms |
| Rise Time | 10.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh M2 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 85 W |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 325 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 10.5 ns |
| Время спада | 34.5 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF12N50M2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13.5 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.325Ом |
| Power Dissipation | 85Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.325Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet STF12N50M2
pdf, 660 КБ
Datasheet STF12N50M2
pdf, 643 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
