N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL90N6F7

Фото 1/4 N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL90N6F7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2930 шт., срок 8 недель
1 280 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт. на сумму 12 800 ֏
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8009909074
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 90 A
Maximum Drain Source Resistance 5.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 94 W
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type PowerFLAT 5x6
Pin Count 8
Series STripFET F7
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 25 nC @ 10 V
Width 6.35mm
Drain Source On State Resistance 0.0046Ом
Power Dissipation 94Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции STripFET F7
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 90А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 94Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0046Ом
Стиль Корпуса Транзистора PowerFLAT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand STMicroelectronics
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 7.8 ns
Id - Continuous Drain Current 90 A
Manufacturer STMicroelectronics
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case PowerFLAT-5x6-8
Packaging Cut Tape
Pd - Power Dissipation 94 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 25 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 5.4 mOhms
Rise Time 17.6 ns
RoHS Details
Technology Si
Tradename STripFET
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 24.4 ns
Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 500 КБ
Datasheet STL90N6F7
pdf, 449 КБ
Datasheet STL90N6F7
pdf, 453 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг