STP20NM50FD, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
![Фото 1/2 STP20NM50FD, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A](https://static.chipdip.ru/lib/522/DOC044522739.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/709/DOC005709320.jpg)
7 шт. с центрального склада, срок 3 недели
5 200 ֏
от 3 шт. —
4 840 ֏
от 5 шт. —
4 580 ֏
1 шт.
на сумму 5 200 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Configuration | Single | |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 20 | |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 250@10V | |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 | |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 | |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 192000 | |
Military | No | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Operating Temperature - (??C) | -65~150 | |
Packaging | Tube | |
Pin Count | 3 | |
Standard Package Name | TO-220 | |
Supplier Package | TO-220 | |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 38 | |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 38@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1380@25V | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 408 КБ
Документация
pdf, 396 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг