N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin DPAK STD13N65M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1275 шт., срок 8 недель
1 370 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 6 850 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 430 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh M2 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Width | 6.2mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 7.8 ns |
| Время спада | 12 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STD13N65M2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 430mΩ@5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 590pF@100V |
| Power Dissipation (Pd) | 110W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STD13N65M2
pdf, 550 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
