STB6N80K5, Транзистор полевой
![Фото 1/3 STB6N80K5, Транзистор полевой](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955325.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516337.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC022402180.jpg)
30 шт. с центрального склада, срок 3 недели
840 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 800В 4,5A 85Вт 1,6Ом DІPak
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 110 W |
Qg - заряд затвора | 7.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STB6N80K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1266 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг