STB16NF06LT4, N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET ( D2PAK)
![Фото 1/3 STB16NF06LT4, N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET ( D2PAK)](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/818/DOC034818157.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367934.jpg)
100 шт. с центрального склада, срок 3 недели
1 870 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 870 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В 16A 45Вт 0,09Ом DІPak Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 12.5 ns |
Forward Transconductance - Min | 17 S |
Height | 4.6 mm |
Id - Continuous Drain Current | 16 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-263-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 45 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms |
Rise Time | 37 ns |
RoHS | Details |
Series | STB16NF06L |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
Width | 9.35 mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 12.5 ns |
Forward Transconductance - Min: | 17 S |
Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Pd - Power Dissipation: | 45 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 7.3 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhms |
Rise Time: | 37 ns |
Series: | STB16NF06L |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 383 КБ
Документация
pdf, 399 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг