STP140N6F7, MOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
![Фото 1/4 STP140N6F7, MOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172664.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
6123 шт., срок 6-9 недель
2 940 ֏
от 10 шт. —
2 230 ֏
от 100 шт. —
1 720 ֏
от 250 шт. —
1 480 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 940 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
STripFET Power MOSFETsSTMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 110 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 40 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 mOhms |
Series: | STP140N6F7 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0031Ом |
Power Dissipation | 158Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | STripFET F7 |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 80А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 158Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0031Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
Maximum Drain Source Resistance | 3.5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 158 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET F7 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг