STP60N043DM9, MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1403 шт., срок 6-9 недель
12 900 ֏
от 10 шт. —
10 500 ֏
от 25 шт. —
8 900 ֏
от 100 шт. —
7 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 900 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
The STMicroelectronics product is a N channel power MOSFET based on the most innovative super junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium or high voltage MOSFETs featuring very low RDS on per area coupled with a fast recovery diode.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 56 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 222 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
