STB6NK90ZT4 транзистор: N-MOSFET 900V 5,8A 1,56Om
![Фото 1/5 STB6NK90ZT4 транзистор: N-MOSFET 900V 5,8A 1,56Om](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/589/DOC018589308.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451652.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763328.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763336.jpg)
3000 шт. с центрального склада, срок 2 недели
112 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 112 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 5,8А, 140Вт, D2PAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 20 ns |
Forward Transconductance - Min | 5 S |
Height | 4.6 mm |
Id - Continuous Drain Current | 5.8 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-263-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 140 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 46.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
Rise Time | 45 ns |
RoHS | Details |
Series | STB6NK90Z |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 9.35 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 5.8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Power Dissipation | 140 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 46.5 nC @ 10 V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг