STP100N6F7, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100А 4.7мОм TO-220
![Фото 1/3 STP100N6F7, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100А 4.7мОм TO-220](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
436 шт. с центрального склада, срок 3 недели
630 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 18 шт. —
540 ֏
от 36 шт. —
472 ֏
от 100 шт. —
432 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 520 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100А 4.7мОм TO-220
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 15 ns | |
Id - Continuous Drain Current | 100 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 125 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 30 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.6 mOhms | |
Rise Time | 55.5 ns | |
RoHS | Details | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 28.6 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 21.6 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | |
Channel Type | N | |
Forward Diode Voltage | 1.2V | |
Maximum Continuous Drain Current | 100 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 5.6 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Power Dissipation | 125 W | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Series | STripFET F7 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 12.6 nC @ 10 V | |
Width | 4.6mm | |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг