STD4NK60ZT4, Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27500 шт., срок 8-10 недель
365 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
от 7500 шт. —
338 ֏
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 912 500 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,5А, 70Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Process Technology | SuperMESH |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2000@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18.8@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 510@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 |
| Typical Fall Time (ns) | 16.5 |
| Typical Rise Time (ns) | 9.5 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 29 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 2.4(Max) |
| Package Length | 6.6(Max) |
| Package Width | 6.2(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| Series | SuperMESHв(ў |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Описание | 600V, MOSFET |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*47*46/2500 |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Документация
pdf, 759 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
