Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP13NM60N, Trans MOSFET N-CH 600V 11A ...

STP13NM60N, Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8450 шт., срок 8-10 недель

1 600 ֏

Мин. кол-во для заказа 1000 шт.

Кратность заказа 50 шт.

от 1200 шт. — 1 520 ֏

Добавить в корзину 1000 шт. на сумму 1 600 000 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8013611100

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 6,93А, 90Вт Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	11 A
Pd - рассеивание мощности	90 W
Qg - заряд затвора	27 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	360 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	8 ns
Время спада	10 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP13NM60N
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	3 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
кол-во в упаковке	50
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	10 ns
Id - Continuous Drain Current	11 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	90 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	360 mOhms
Rise Time	8 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns
Unit Weight	0.01164 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	25 V
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	11 A
Maximum Drain Source Resistance	360 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Power Dissipation	90 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	30 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, г	1