STD7N65M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1487 шт. с центрального склада, срок 2 недели
630 ֏
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 54 шт. —
494 ֏
от 226 шт. —
431 ֏
Добавить в корзину 24 шт.
на сумму 15 120 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор MOSFET TO252
Технические параметры
| Корпус | to252 | |
| кол-во в упаковке | 2500 | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Fall Time: | 20 ns | |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-252-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Product: | Power MOSFETs | |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 Ohms | |
| Rise Time: | 20 ns | |
| Series: | STD7N65M2 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Вес, г | 0.536 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1039 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
