STF22N60DM6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
772 шт. с центрального склада, срок 9-11 дней
1 410 ֏
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 24 шт. —
1 140 ֏
от 98 шт. —
1 010 ֏
11 шт.
на сумму 15 510 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 9,5А, Idm: 43А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 1000 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 15(A) |
| Drain-Source On-Res | 0.255(ohm) |
| Drain-Source On-Volt | 600(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±25(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-220FP |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 29(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.24 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Series | STF |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet STF22N60DM6
pdf, 453 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 1 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 5 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
