STD4NK60ZT4, , N-канальный MOSFET , 600В/4А, корпус TO-252-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт. с центрального склада, срок 10 дней
286 ֏
Кратность заказа 20 шт.
20 шт.
на сумму 5 720 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,5А, 70Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | TO-252(DPAK) | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Описание | 600V, MOSFET | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*47*46/2500 | |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. | |
| EU RoHS | Compliant with Exemption | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| Part Status | Active | |
| HTS | 8541.29.00.95 | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Configuration | Single | |
| Process Technology | SuperMESH | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2000@10V | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18.8@10V | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18.8 | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 510@25V | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 | |
| Typical Fall Time (ns) | 16.5 | |
| Typical Rise Time (ns) | 9.5 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 29 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Automotive | No | |
| Pin Count | 3 | |
| Standard Package Name | TO-252 | |
| Supplier Package | DPAK | |
| Military | No | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Package Height | 2.4(Max) | |
| Package Length | 6.6(Max) | |
| Package Width | 6.2(Max) | |
| PCB changed | 2 | |
| Tab | Tab | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 | |
| Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V | |
| Series | SuperMESHв(ў | |
| Standard Package | 1 | |
| Supplier Device Package | D-Pak | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±30V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Документация
pdf, 759 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 2 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 6 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
