Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF14NM50N, , N-канальный MOSFET , 500В/14А ...

STF14NM50N, , N-канальный MOSFET , 500В/14А, корпус TO-220

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

440 шт. с центрального склада, срок 2 недели

760 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 20 шт. — 710 ֏

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 3 800 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8014323093

Бренд: STMicroelectronics

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

МОП-транзистор N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

Технические параметры

Корпус	TO-220F
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Транспортная упаковка: размер/кол-во	584654/500
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Product Category	Power MOSFET
Process Technology	MDmesh II
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	500
Maximum Gate Source Voltage (V)	±25
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4
Maximum Continuous Drain Current (A)	12
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	320@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	27@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	27
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	816@50V
Maximum Power Dissipation (mW)	25000
Typical Fall Time (ns)	22
Typical Rise Time (ns)	16
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	42
Typical Turn-On Delay Time (ns)	12
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tube
Automotive	No
Standard Package Name	TO-220
Pin Count	3
Supplier Package	TO-220FP
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	16.4(Max)
Package Length	10.4(Max)
Package Width	4.6(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Id - непрерывный ток утечки	12 A
Pd - рассеивание мощности	25 W
Qg - заряд затвора	27 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	320 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	16 ns
Время спада	22 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF14NM50N
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения	42 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
кол-во в упаковке	50
Maximum Continuous Drain Current	12 A
Maximum Drain Source Resistance	320 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	25 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220FP
Series	MDmesh
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	27 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, г	3.5