N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP STF45N10F7
![Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP STF45N10F7](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639246.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
400 шт., срок 8 недель
1 940 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 97 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET H7 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STF45N10F7
pdf, 727 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг