STGFW30V60DF IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 шт., срок 7 недель
3 160 ֏
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 94 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 58 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-3PF |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
