N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STP18NM60N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт., срок 8 недель
2 470 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 123 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 285 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
