N-Channel MOSFET, 7 A, 3-Pin DPAK STD11N65M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2490 шт., срок 8 недель
2 600 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 13 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 680 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Width | 6.2mm |
| Drain Source On State Resistance | 0.6Ом |
| Power Dissipation | 85Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.6Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | Power MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 670 mOhms |
| REACH - SVHC: | Details |
| Rise Time: | 7.5 ns |
| Series: | STD11N65M2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh II Plus |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 670mΩ@3.5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 410pF@100V |
| Power Dissipation (Pd) | 85W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12.5nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 733 КБ
Datasheet STD11N65M2
pdf, 757 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
