N-Channel MOSFET, 11 A, 3-Pin DPAK STD13N60DM2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2490 шт., срок 8 недель
2 950 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 14 750 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Width | 6.2mm |
Техническая документация
Datasheet STD13N60DM2
pdf, 535 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
