SiC N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V, 3-Pin HiP247 SCTW35N65G2V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

961 шт., срок 7 недель

23 100 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 23 100 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8014530883

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 45m Ohm.

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	45 A
Maximum Drain Source Resistance	0.045 Ω
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	HiP247
Pin Count	3
Series	SCTW35
Transistor Material	SiC
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	600
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	HiP-247-3
Drain Source On State Resistance	0.045Ом
Power Dissipation	240Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Максимальная Рабочая Температура	200°C
Напряжение Измерения Rds(on)	20В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	45А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3.2В
Рассеиваемая Мощность	240Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.045Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	1