SiC N-Channel MOSFET Module, 12 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 SCT10N120

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

30 шт., срок 8 недель

12 800 ֏

1 шт. на сумму 12 800 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8014533481

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials.

Channel Mode	Depletion
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	12 A
Maximum Drain Source Resistance	0.58 Ω
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	HiP247
Pin Count	3
Series	SCT
Transistor Material	SiC
Drain Source On State Resistance	0.5Ом
Power Dissipation	150Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Максимальная Рабочая Температура	200°C
Напряжение Измерения Rds(on)	20В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	12А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3.5В
Рассеиваемая Мощность	150Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.5Ом
Стиль Корпуса Транзистора	HiP247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный