SiC N-Channel MOSFET Module, 39 A, 600 V Depletion, 4-Pin TO-247-4 STW48N60M6-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7 недель
9 400 ֏
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 282 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 25А, Idm: 140А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 39 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.061 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Series | ST |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STW48N60M6-4
pdf, 452 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
