N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STL19N60M6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 шт., срок 7 недель
7 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 100 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power MOSFET incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.308 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerFLAT 8x8 HV |
| Pin Count | 5 |
| Series | M6 |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance | 0.255Ом |
| Power Dissipation | 90Вт |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh M6 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 90Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.255Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STL19N60M6
pdf, 570 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
