STGWA30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

750 шт., срок 8 недель

3 520 ֏

Кратность заказа 30 шт.

30 шт. на сумму 105 600 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8014536929

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.

Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	167 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	50А
Power Dissipation	167Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	HB2
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247LL
Вес, г	1